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2SD1816S-H

2SD1816S-H onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2SD1816S-H onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2SD1816S-H nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1816S-H 2SD1816S-H ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 4000 Stücke:
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833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
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2SD1816S-H 2SD1816S-H ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
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2SD1816S-H 2SD1816S-H onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
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100+1.14 EUR
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3000+0.7 EUR
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