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2SD1816S-TL-H

2SD1816S-TL-H onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2SD1816S-TL-H onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1816S-TL-H 2SD1816S-TL-H ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SD1816S-TL-H 2SD1816S-TL-H onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
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2SD1816S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0001812173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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