2SD1816T-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details 2SD1816T-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 100V 4A TP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 2SD1816T-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SD1816T-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V |
auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SD1816T-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)