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2SD1835T-AA

2SD1835T-AA ON Semiconductor

9162sb1229-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 750mW 3-Pin NP T/R
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Technische Details 2SD1835T-AA ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 2A 3-NP, Power - Max: 750 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 3-NP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Tape & Box (TB).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1835T-AA 2SD1835T-AA ON Semiconductor 9162sb1229-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 750mW 3-Pin NP T/R
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2SD1835T-AA 2SD1835T-AA onsemi 2SD1835.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
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2SD1835T-AA 2SD1835T-AA onsemi ONSMS36743_1-2560190.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
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2SD1835T-AA 2SD1835T-AA ONSEMI ONSMS36743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1835T-AA - 2SD1835T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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Power - Max: 750 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1835T-AA - 2SD1835T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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