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2SD1898T100Q

2SD1898T100Q Rohm Semiconductor

2sd1898t100r-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SD1898T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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2SD1898T100Q 2SD1898T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor 2sd1898t100r-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SD1898T100Q 2SD1898T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor SOT89_DTDG.jpg Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 118 Stücke:
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2SD1898T100Q 2SD1898T100Q Hersteller : ROHM ROHMS32675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 852 Stücke:
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2SD1898T100Q 2SD1898T100Q Hersteller : ROHM ROHMS32675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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2SD1898T100Q Hersteller : ROHM Semiconductor rohms32675_1-2281479.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A
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44+1.21 EUR
51+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.35 EUR
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2SD1898 T100Q Hersteller : ROHM 09+
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2SD1898 T100Q Hersteller : ROHM SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD1898T100Q 2SD1898T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor SOT89_DTDG.jpg Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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