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2SD1898T100R

2SD1898T100R Rohm Semiconductor

5527095568863512sd1898t100.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SD1898T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

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2SD1898T100R 2SD1898T100R Rohm Semiconductor 5527095568863512sd1898t100.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SD1898T100R ROHM - Japan 2sd1898t100re.pdf Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD1898T100R SOT89 T2SD1898t100r
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2SD1898 T100R ROHM 09+
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Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Hersteller: ROHM - Japan
Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD1898T100R SOT89 T2SD1898t100r
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2SD1898 T100R
Hersteller: ROHM
09+
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