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2SD2211T100Q

2SD2211T100Q Rohm Semiconductor

2SD1857A,1918,2211.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
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Technische Details 2SD2211T100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 1.5A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SD2211T100Q Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_2SD1857A,1918,2211.pdf Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 160V 1.5A
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Produktcode: 165512
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
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