2SD2351T106W Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SD2351T106W Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 820hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SD2351T106W nach Preis ab 0.056 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SD2351T106W | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector current: 0.15A Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 820...2700 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SD2351T106W | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector current: 0.15A Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 820...2700 |
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2SD2351T106W | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R |
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2SD2351T106W | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
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2SD2351T106W | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA |
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2SD2351T106W | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 820hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SD2351T106W | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SD2351T106W Produktcode: 131165 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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2SD2351T106W | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD2351T106W | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
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