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2SD2653KT146

2SD2653KT146 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 2A 3-Pin SMT T/R
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Technische Details 2SD2653KT146 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 2A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: SMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD2653KT146 2SD2653KT146 Rohm Semiconductor 2sd2653k.pdf Trans GP BJT NPN 12V 2A 3-Pin SMT T/R
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2SD2653KT146 2SD2653KT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2653K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 2A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
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2SD2653KT146 2SD2653KT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2653K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 2A
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 2A
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