2SD2654TLV Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SD2654TLV Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 560, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150, Übergangsfrequenz: 250, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2SD2654TLV nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD2654TLV | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA |
auf Bestellung 4759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SD2654TLV | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 560 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SD2654TLV | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 560 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150 Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 575+ | 0.31 EUR |
| 597+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 532+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
auf Bestellung 4759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.13 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SD2654TLV |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| 2SD2654TLV |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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