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2SD2657TL

2SD2657TL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details 2SD2657TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD2657TL 2SD2657TL Rohm Semiconductor 2sd2657tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2560 Stücke:
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500+0.77 EUR
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2SD2657TL 2SD2657TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2657&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
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2SD2657TL 2SD2657TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2657&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2671 Stücke:
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15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
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2SD2657TL 2SD2657TL ROHM 2sd2657tl-e.pdf Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1548 Stücke:
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234+1 EUR
356+0.61 EUR
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1000+0.39 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
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Description: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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