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2SD2673TL

2SD2673TL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details 2SD2673TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 3A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD2673TL 2SD2673TL Rohm Semiconductor 2sd2673tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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2SD2673TL 2SD2673TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2673&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 3A
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2SD2673TL 2SD2673TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2673&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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