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2SD2675TL

2SD2675TL Rohm Semiconductor

471945277486386882sd2675tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details 2SD2675TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2SD2675TL 2SD2675TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2675&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
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2SD2675TL 2SD2675TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2675&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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