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2SD2675TL

2SD2675TL Rohm Semiconductor

471945277486386882sd2675tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details 2SD2675TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT3, Frequency - Transition: 320MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2SD2675TL 2SD2675TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2675&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
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2SD2675TL 2SD2675TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2675&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
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Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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