2SD2703TL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SD2703TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2703TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SD2703TL nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2SD2703TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
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2SD2703TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R |
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2SD2703TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
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2SD2703TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 30V 1A NPN LOW |
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2SD2703TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2703TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SD2703TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2703TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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