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2SD613E

2SD613E onsemi

SNYOS17207-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 85V 6A TO-220AB
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 85 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 4505 Stücke:
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Technische Details 2SD613E onsemi

Description: TRANS NPN 85V 6A TO-220AB, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 85 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Supplier Device Package: TO-220AB, Frequency - Transition: 15MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD613E ONSEMI SNYOS17207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD613E - 2SD613E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4005 Stücke:
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2SD613E ON Semiconductor SNYOS17207-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 85V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD613E - 2SD613E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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500+1.42 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 85V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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