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2SD613E

2SD613E onsemi

SNYOS17207-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 85V 6A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 85 V
Power - Max: 40 W
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Technische Details 2SD613E onsemi

Description: TRANS NPN 85V 6A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 85 V, Power - Max: 40 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SD613E Hersteller : ON Semiconductor SNYOS17207-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 85V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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2SD613E Hersteller : ON Semiconductor SNYOS17207-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 85V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 560
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2SD613E Hersteller : ONSEMI SNYOS17207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD613E - 2SD613E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4005 Stücke:
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