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2SD863F onsemi


SNYOS08303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 1A 3-MP
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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Technische Details 2SD863F onsemi

Description: TRANS NPN 50V 1A 3-MP, Power - Max: 900 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: 3-MP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SD863F ON Semiconductor SNYOS08303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 50V 1A 900mW 3-Pin Case MP
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