2SD965 (Bipolartransistor NPN) Panasonic
Produktcode: 26119
Hersteller: PanasonicGehäuse: TO-92
fT: 150 MHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 40
Ic,A: 5
ZCODE: THT
verfügbar 731 St.:
120 St. - stock Köln
611 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.032 EUR |
| 100+ | 0.03 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD965 | Hersteller : HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
auf Bestellung 564000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SD965 | Hersteller : ?? | SOT-89 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD965 | Hersteller : KESENES | 09+ |
auf Bestellung 105746 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD965 | Hersteller : NEC | 09+ |
auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD965 | Hersteller : PHI | SOT-89 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A Produktcode: 194474
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
auf Bestellung 111 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10000 St.:
10000 St. - erwartet 01.06.2026Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SB772PT Produktcode: 199132
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CHENMKO
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
h21,max: 160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
h21,max: 160
auf Bestellung 1039 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1817 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| LM324N Produktcode: 162910
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 292 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 100 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-100KR – Hitano) Produktcode: 169932
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 3652 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH





