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2SD965 (Bipolartransistor NPN)

2SD965 (Bipolartransistor NPN) Panasonic


2SD965.pdf
Produktcode: 26119
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Hersteller: Panasonic
Gehäuse: TO-92
fT: 150 MHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 40
Ic,A: 5
ZCODE: THT
verfügbar 731 St.:

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SD965 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor NPN Transistor
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2SD965 Hersteller : KESENES 09+
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INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A
Produktcode: 194474
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PBRI-INR18650-35V-D06-05-C.pdf
INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
auf Bestellung 9981 St.:
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2SB772PT
Produktcode: 199132
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2SB772PT.pdf
2SB772PT
Hersteller: CHENMKO
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
h21,max: 160
auf Bestellung 1004 St.:
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1546 St.:
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LM324N
Produktcode: 162910
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 LM324.pdf INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM324N
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 233 St.:
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100 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-100KR – Hitano)
Produktcode: 169932
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
100 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-100KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
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