2SD965 (NPN-Bipolartransistor) Panasonic
Produktcode: 26119
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Panasonic
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 150 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.038 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote 2SD965 (NPN-Bipolartransistor) nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD965 | HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
auf Bestellung 564000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
| 2SD965 | KESENES | 09+ |
auf Bestellung 105746 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SD965 |
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
NPN Transistor
auf Bestellung 564000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 0.08 EUR |
| 60000+ | 0.069 EUR |
| 300000+ | 0.06 EUR |
| 2SD965 |
Hersteller: KESENES
09+
09+
auf Bestellung 105746 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| Li-Ion 3500мАг, 3,65В, 18650 EVE Li-Ion-Akku INR18650/35V Grade A Produktcode: 194474
29
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: 18650
Kapazität, mAh: 3500 мА·год
Form: zylindrisch
Spannung, V: 3,65 В
Maximaler Entladestrom, A: 10 А
Gewicht, g: 50 г
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: 18650
Kapazität, mAh: 3500 мА·год
Form: zylindrisch
Spannung, V: 3,65 В
Maximaler Entladestrom, A: 10 А
Gewicht, g: 50 г
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM324N Produktcode: 162910
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
auf Bestellung 198 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 100 kOhm 1% 0,25W bedrahtet (MFR025FTB-100KR – Hitano) Produktcode: 169932
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 кОм
Toleranz: ±1%
Nennleistung, W: 0,25 Вт
Betriebsspannung, V: 250 В
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.55 mm
Typ: Metallschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 кОм
Toleranz: ±1%
Nennleistung, W: 0,25 Вт
Betriebsspannung, V: 250 В
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.55 mm
Typ: Metallschicht
auf Bestellung 1912 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 St.:
5000 St. - erwartet| 1N4007 Produktcode: 176822
17
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 55882 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2SB772PT Produktcode: 199132
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CHENMKO
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 160
auf Bestellung 989 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)






