2SJ360(TE12L,F) VBsemi
Hersteller: VBsemi
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360 T2SJ360
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Technische Details 2SJ360(TE12L,F) VBsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: PW-MINI, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SJ360(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: PW-MINI Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V |
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2SJ360(TE12L,F) | Toshiba |
MOSFET MOSFET P-Ch, 60V, 1A, Rdson 0.73 Ohm |
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2SJ360 (TE12L,F) | Toshiba |
MOSFET |
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| 2SJ360(TE12L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
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| 2SJ360(TE12L,F) |
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Hersteller: Toshiba
MOSFET MOSFET P-Ch, 60V, 1A, Rdson 0.73 Ohm
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MOSFET
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