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2SJ598-ZK-E1-AZ

2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation

2sj598-data-sheet?r=1335211
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details 2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics REN_D14656EJ5V0DS00_DST_20060801_1.pdf MOSFETs POWER TRS2
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2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
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2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation 2sj598-data-sheet?r=1335211 Description: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
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2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ RENESAS 4015008.pdf Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ RENESAS 4015008.pdf Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MOSFETs POWER TRS2
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10+1.86 EUR
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2SJ598-ZK-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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