2SJ661-DL-1E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SJ661-DL-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 38 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 38, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 65, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: 2SJ661, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0295, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295, SVHC: Lead (19-Jan-2021).