2SK1120
Produktcode: 92839
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/120
JHGF: THT
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Technische Details 2SK1120
- MOSFET, N, TO-3P
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:8A
- Max Voltage Vds:1000V
- On State Resistance:1.8ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:150W
- Transistor Case Style:TO-3P
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-3P
- Cont Current Id:8A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:5.45mm
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:150W
- Pulse Current Idm:24A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:1000V
- Typ Voltage Vgs th:3.5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1120 | Hersteller : TOSHIBA | 09+ |
auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 |
2SK1120 | Hersteller : Toshiba | MOSFETs TO3PN PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), |
Produkt ist nicht verfügbar |