2SK1120
Produktcode: 92839
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Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/120
Montage: THT
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Technische Details 2SK1120
- MOSFET, N, TO-3P
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:8A
- Max Voltage Vds:1000V
- On State Resistance:1.8ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:150W
- Transistor Case Style:TO-3P
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-3P
- Cont Current Id:8A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:5.45mm
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:150W
- Pulse Current Idm:24A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:1000V
- Typ Voltage Vgs th:3.5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2SK1120 | TOSHIBA |
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auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK1120 | |
Hersteller: TOSHIBA
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