2SK1317-E RENESAS
Hersteller: RENESASCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 19 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 16.06 EUR |
| 90+ | 15.44 EUR |
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Technische Details 2SK1317-E RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SK1317-E nach Preis ab 16.06 EUR bis 22.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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2SK1317-E | Hersteller : RENESAS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 100W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK1317-E | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK1317-E | Hersteller : Renesas Electronics |
MOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P |
auf Bestellung 87541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK1317-E | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK1317-E | Hersteller : Renesas |
2SK1317 HIT2SK1317 Anzahl je Verpackung: 360 Stücke |
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