Technische Details 2SK163 NEC
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-92, Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В, Drain-Strom Idd, A: 0,03 А, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/, Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET), Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SK163 Produktcode: 107802
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NEC |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,03 А Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/ Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET) Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK163 Produktcode: 107802
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Hersteller: NEC
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
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