2SK208-GR(TE85L,F) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 334+ | 0.25 EUR |
| 353+ | 0.24 EUR |
| 368+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details 2SK208-GR(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.
Weitere Produktangebote 2SK208-GR(TE85L,F) nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V |
auf Bestellung 6454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
auf Bestellung 21591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V |
auf Bestellung 14565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V |
auf Bestellung 14565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 371 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.24 EUR |
| 15000+ | 0.23 EUR |
| 21000+ | 0.21 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 273+ | 0.64 EUR |
| 303+ | 0.57 EUR |
| 306+ | 0.55 EUR |
| 425+ | 0.38 EUR |
| 436+ | 0.37 EUR |
| 579+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 273+ | 0.64 EUR |
| 303+ | 0.56 EUR |
| 306+ | 0.52 EUR |
| 425+ | 0.37 EUR |
| 436+ | 0.35 EUR |
| 579+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 371+ | 1.07 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
auf Bestellung 6454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 14565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 275+ | 0.84 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 592+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.33 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 14565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 275+ | 0.84 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 592+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.33 EUR |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)