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2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba

32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
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274+0.63 EUR
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581+0.27 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) TOSHIBA 3622372.pdf Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
280+0.83 EUR
433+0.5 EUR
575+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) TOSHIBA 3622372.pdf Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
280+0.83 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 221 Stücke:
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2SK208-Y(TE85L,F) TOSHIBA 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; 6.5mA; 100mW
Type of transistor: N-JFET
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.1W
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
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395+0.25 EUR
500+0.24 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
538+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
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2SK208-Y(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.63 EUR
427+0.39 EUR
581+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
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2SK208-Y(TE85L,F) 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
auf Bestellung 10419 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.54 EUR
100+0.46 EUR
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3000+0.27 EUR
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24000+0.21 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 4460 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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29+0.74 EUR
50+0.54 EUR
100+0.48 EUR
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2SK208-Y(TE85L,F) 3622372.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.46 EUR
280+0.83 EUR
433+0.5 EUR
575+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK208-Y(TE85L,F) 3622372.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.46 EUR
280+0.83 EUR
433+0.5 EUR
575+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK208-Y(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; 6.5mA; 100mW
Type of transistor: N-JFET
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.1W
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
395+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
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