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Technische Details 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK209-GR(TE85L,F) nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Gate current: 10mA Drain current: 6.5mA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Gate current: 10mA Drain current: 6.5mA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 55482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
auf Bestellung 11676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
auf Bestellung 51359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
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