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2SK209-GR(TE85L,F)

2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1326 Stücke:
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415+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba info-t2sk209.pdf Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 43112 Stücke:
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239+0.74 EUR
363+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) TOSHIBA 2SK209.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
125+0.68 EUR
153+0.56 EUR
180+0.48 EUR
210+0.4 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
auf Bestellung 49565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
auf Bestellung 16812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6000+0.27 EUR
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
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2SK209-GR(TE85L,F) 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
415+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
415+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK209-GR(TE85L,F) info-t2sk209.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 43112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.74 EUR
363+0.48 EUR
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1000+0.31 EUR
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6000+0.24 EUR
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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AnzahlPrivatkunde
91+0.94 EUR
125+0.68 EUR
153+0.56 EUR
180+0.48 EUR
210+0.4 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
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AnzahlPrivatkunde
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
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15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK209-GR(TE85L,F) 3622373.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK209-GR(TE85L,F) 3622373.pdf
2SK209-GR(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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