Technische Details 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.
Weitere Produktangebote 2SK2225-80-E#T2 nach Preis ab 19.94 EUR bis 37.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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2SK2225-80-E#T2 | Renesas Electronics Corporation |
 Description: ABU / MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK2225-80-E#T2 | RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK2225-80-E#T2 |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 37.95 EUR |
| 25+ | 24.3 EUR |
| 100+ | 21.06 EUR |
| 500+ | 19.94 EUR |
| 2SK2225-80-E#T2 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)