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2SK3018T106

2SK3018T106 Rohm Semiconductor

2sk3018.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
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Technische Details 2SK3018T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK3018T106 2SK3018T106 ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2SK3018 T106 ROHM SOT323-KN
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Hersteller: ROHM
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2SK3018T106
Hersteller: ROHM
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SOT323-KN
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