2SK3018T106 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SK3018T106 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SK3018T106 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
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2SK3018T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
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| 2SK3018 T106 | Hersteller : ROHM | 04+ |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK3018 T106 | Hersteller : ROHM | SOT23/SOT323 |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK3018 T106 | Hersteller : ROHM | SOT-323 06+ |
auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK3018 T106 | Hersteller : ROHM | SOT323-KN |
auf Bestellung 184378 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SK3018T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V |
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2SK3018T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V |
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2SK3018T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
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