2SK3666-3-TB-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 200 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4127+ | 0.12 EUR |
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Technische Details 2SK3666-3-TB-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SK3666-3-TB-E nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2SK3666-3-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
JFET SWITCHING DEVICE |
auf Bestellung 5502 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| 2SK3666-3-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 55068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK3666-3-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 55068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK3666-3-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 851032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK3666-3-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK3666-3-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK3666-3-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
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