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2SK3700(F) транзистор

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Transistoren > MOSFET N-CH

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2SK3700(F) 2SK3700(F) Hersteller : Toshiba 2SK3700_datasheet_en_20160518-1134370.pdf MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
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2SK3700(F) 2SK3700(F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
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2SK3700(F) 2SK3700(F) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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1,3 Ohm 5% 3W выв. (MOR300SJTB-1R3-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 1,3 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 15x5 мм; Dвив.=0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
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UC3843BN
Produktcode: 4077
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 151 St.
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