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Technische Details 2SK3700(F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote 2SK3700(F) nach Preis ab 2.36 EUR bis 5.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3PPackaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SK3700(F) транзистор Produktcode: 205798
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SK3700(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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