Weitere Produktangebote 2SK3700(F) транзистор nach Preis ab 1.98 EUR bis 6.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SK3700(F) | Toshiba |
 MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3700(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(N) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SK3700(F) |
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 4.44 EUR |
| 50+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 200+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 1.98 EUR |
| 2SK3700(F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.22 EUR |
| 10+ | 4.05 EUR |
| 50+ | 3.11 EUR |
| 100+ | 2.81 EUR |
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| 1,3 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-1R3-Hitano) Produktcode: 183082
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwiderstand, Ohm: 1,3 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; D Anschluss = 0,76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwiderstand, Ohm: 1,3 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; D Anschluss = 0,76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
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| UC3843BN Produktcode: 4077
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
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- 19 St. - stock Köln
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |