2SK3706 ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 11.21 EUR |
| 100+ | 10.5 EUR |
| 500+ | 9.73 EUR |
| 1000+ | 8.97 EUR |
| 10000+ | 8.32 EUR |
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Technische Details 2SK3706 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SK3706 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220ML, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SK3706 nach Preis ab 11.54 EUR bis 13.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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2SK3706 | onsemi |
 Description: MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V |
auf Bestellung 82441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3706 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3706 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220ML Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK3706 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
auf Bestellung 82441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 11.54 EUR |
| 2SK3706 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3706 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220ML
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SK3706 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-220ML
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.42 EUR |