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2SK3799(Q,M)

2SK3799(Q,M) TOSHIBA


2SK3799.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details 2SK3799(Q,M) TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 8A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Hersteller : TOSHIBA 2SK3799.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Hersteller : Toshiba 82sk3799_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Hersteller : Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
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