2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 24+ | 3.05 EUR |
| 27+ | 2.73 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
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Technische Details 2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD, Version: ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60nC, On-state resistance: 1Ω, Drain current: 8A, Drain-source voltage: 900V, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 50W, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba |
MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm |
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2SK3799 (Q,M) | Hersteller : Toshiba |
MOSFET |
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