2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.46 EUR |
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Technische Details 2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 8A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm |
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2SK3799 (Q,M) | Hersteller : Toshiba | MOSFET |
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