2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 3.63 EUR |
| 27+ | 3.25 EUR |
| 30+ | 2.88 EUR |
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Technische Details 2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote 2SK3799(Q,M)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3799 | Toshiba | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2SK3799 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| 2SK3799 |
Hersteller: Toshiba
MOSFET
MOSFET
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| 2SK3799 |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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