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Technische Details 2SK3878(F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 9, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 150, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote 2SK3878(F)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2SK3878F | Hersteller : TOSHIBA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SK3878(F) | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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| 2SK3878[F] | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A TO-3PN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| 2SK3878(F) | Hersteller : Toshiba | MOSFETs |
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