2SK3878(F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 9, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 150, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).