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2SK3878 Transistor Toshiba

2sk3878-datasheet.pdf
Produktcode: 56955
Hersteller: Toshiba
Gehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
auf Bestellung 229 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UC3843BN
Produktcode: 4077
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 263 Stück
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erwartet: 30 Stück
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UC3843AN (DIP-8)
Produktcode: 149217
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uc3842a-d-datasheet.pdf
UC3843AN (DIP-8)
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High Performance
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 443 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 Stück:
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 53168 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5855 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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