2SK3878 Transistor Toshiba

Produktcode: 56955
Hersteller: ToshibaGehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
auf Bestellung 233 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.80 EUR |
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UC3843BN Produktcode: 4077
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 342 Stück
19 Stück - stock Köln
323 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
323 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.29 EUR |
UC3843AN (DIP-8) Produktcode: 149217
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High Performance
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High Performance
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartetIm Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
UC3843BD1 (SO-8) Produktcode: 14241
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet 03.05.2025Anzahl | Preis |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 60485 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5971 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.50 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1.00 EUR |