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2SK3919 NEC


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Technische Details 2SK3919 NEC

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-251, Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В, Drain-Strom Idd, A: 64 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,8 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2050/42, Montage: THT.

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2SK3919 2SK3919
Produktcode: 85841
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NEC 171458_1-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 64 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2050/42
Montage: THT
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2SK3919 2SK3919 Renesas Electronics renesas electronics_d17078ej4v0ds00.pdf MOSFETs
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Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 64 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2050/42
Montage: THT
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