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2SK4013

2SK4013 TOSHIBA

2SK4013.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 1.35Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
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Technische Details 2SK4013 TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 45W; TO220FP, Polarisation: unipolar, Case: TO220FP, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Gate charge: 45nC, On-state resistance: 1.35Ω, Drain current: 6A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 45W, Drain-source voltage: 800V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SK4013 2SK4013 Hersteller : TOSHIBA 2SK4013.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 1.35Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
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2SK4013 Hersteller : Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK4013(STA4,Q,M) 2SK4013 T2SK4013
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2SK4013 Hersteller : Toshiba Array
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