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2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba

2012docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk880.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R
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Technische Details 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba 2012docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk880.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R
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2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba 9FA083B39101F7C3B3899DC8F81594312869002A49D6EF1397471DB8276F388D.pdf JFETs N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA
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2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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23+0.94 EUR
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2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) TOSHIBA 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
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tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 125°C
usEccn: EAR99
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126+1.99 EUR
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R
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JFETs N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA
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2SK880-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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2SK880-Y(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
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Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
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