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Technische Details 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK880-Y(TE85L,F) nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
JFETs N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA |
auf Bestellung 28192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 125°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK880-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
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