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2STR1160

2STR1160 STMicroelectronics

2STR1160_Rev3_Apr2015.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran
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Technische Details 2STR1160 STMicroelectronics

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

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2STR1160 2STR1160
Produktcode: 114990
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2STR1160_Rev3_Apr2015.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR1160 2STR1160 Hersteller : STMicroelectronics 36935695034645320cd00185369.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160 Hersteller : STMicroelectronics 36935695034645320cd00185369.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160 2STR1160 Hersteller : STMicroelectronics 2STR1160_Rev3_Apr2015.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1160 2STR1160 Hersteller : STMicroelectronics 2STR1160_Rev3_Apr2015.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1160 Hersteller : onsemi / Fairchild 2STR1160_Rev3_Apr2015.pdf Bipolar Transistors - BJT
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