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2V7002LT1G

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Produktcode: 154370
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002LT1G 2V7002LT1G onsemi 2n7002l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
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21000+0.086 EUR
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON-Semiconductor T2V7002_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25504 Stücke:
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1423+0.12 EUR
1437+0.11 EUR
2133+0.074 EUR
2151+0.07 EUR
2359+0.061 EUR
2381+0.058 EUR
3000+0.057 EUR
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.5 EUR
901+0.26 EUR
1337+0.15 EUR
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2V7002LT1G 2V7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13941 Stücke:
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2V7002LT1G 2V7002LT1G onsemi 2n7002l-d.pdf MOSFETs NFET 60V 115MA 7.5O
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11+0.33 EUR
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500+0.15 EUR
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3000+0.09 EUR
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2V7002LT1G 2V7002LT1G onsemi 2n7002l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
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2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 441000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.07 EUR
6000+0.067 EUR
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2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 441000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 291000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.075 EUR
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9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2151+0.081 EUR
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6000+0.065 EUR
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2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
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2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
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15000+0.089 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2V7002LT1G T2V7002_0001.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
769+0.23 EUR
1423+0.12 EUR
1437+0.11 EUR
2133+0.074 EUR
2151+0.07 EUR
2359+0.061 EUR
2381+0.058 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 769 Stücke
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2V7002LT1G 2354034.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
498+0.5 EUR
901+0.26 EUR
1337+0.15 EUR
1448+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2V7002LT1G 2354034.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.5 EUR
901+0.26 EUR
1337+0.15 EUR
1448+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 60V 115MA 7.5O
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2V7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2V7002LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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64+0.33 EUR
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