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3.0SMCJ30A-13

3.0SMCJ30A-13 Diodes Incorporated

3.0SMCJ5.0CA-3.0SMCJ170CA.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 3000W 30V
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Technische Details 3.0SMCJ30A-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ30A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AB (SMC), rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 48.4V, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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3.0SMCJ30A-13 3.0SMCJ30A-13 Hersteller : Diodes Incorporated 3.0SMCJ5.0CA-3.0SMCJ170CA.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 62A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SMC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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3.0SMCJ30A-13 3.0SMCJ30A-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013681160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ30A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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3.0SMCJ30A-13 3.0SMCJ30A-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013681160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ30A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
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3.0SMCJ30A-13 3.0SMCJ30A-13 Hersteller : Diodes Incorporated 3.0SMCJ5.0CA-3.0SMCJ170CA.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 62A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SMC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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3.0SMCJ30A-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BB741D84D880DF&compId=3.0SMCJxx.pdf?ci_sign=66b79dd9e6490985f47e629486c9d364f4777550 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷36.7V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.7V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
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