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30A02MH-TL-E

30A02MH-TL-E onsemi

30a02mh-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 600 mW
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Technische Details 30A02MH-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 520MHz, Supplier Device Package: 3-MCPH, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 600 mW.

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30A02MH-TL-E 30A02MH-TL-E Hersteller : onsemi 30a02mh-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 600 mW
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30A02MH-TL-E Hersteller : onsemi 30A02MH_D-2309493.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 30V
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