Produkte > EIC > 30KP180CA
30KP180CA

30KP180CA EIC


30kp26-400ca_r07.pdf
Hersteller: EIC
TVS Diode Single Bi-Dir 180V 30KW 2-Pin Case D-6
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
600+13.7 EUR
3600+12.31 EUR
5400+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 30KP180CA EIC

Description: TVS DIODE BP 180VRWM 290.4VC, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 30000W (30kW), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 290.4V, Voltage - Breakdown (Min): 201.1V, Bidirectional Channels: 1, Supplier Device Package: P600, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 180V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 104.3A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: P600, Axial, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote 30KP180CA nach Preis ab 32.56 EUR bis 32.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
30KP180CA 30KP180CA Hersteller : MDE Semiconductor Inc 30KP_Series.pdf Description: TVS DIODE BP 180VRWM 290.4VC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30000W (30kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 290.4V
Voltage - Breakdown (Min): 201.1V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 180V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 104.3A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30KP180CA Hersteller : Rectron 30KP_Series.pdf TVS,R6,30000W,10%,Bidir
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30KP180CA 30KP180CA Hersteller : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 201.1V; 104.3A; bidirectional; R6; bulk; 30kW
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 180V
Breakdown voltage: 201.1V
Max. forward impulse current: 104.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH