30KP58CA

30KP58CA EIC Semiconductor


30kp26-400ca_r07.pdf Hersteller: EIC Semiconductor
TVS Diode Single Bi-Dir 58V 30KW 2-Pin Case D-6
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Technische Details 30KP58CA EIC Semiconductor

Description: TVS DIODE 58VWM 92.4VC P600, Packaging: Bulk, Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 327.9A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V, Supplier Device Package: P600, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 64.8V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92.4V, Power - Peak Pulse: 30000W (30kW), Power Line Protection: No.

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30KP58CA 30KP58CA Hersteller : MDE Semiconductor Inc 30KP_Series.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 92.4VC P600
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 327.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: P600
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.8V
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Power - Peak Pulse: 30000W (30kW)
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30KP58CA 30KP58CA Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9ED26D57FB25A0C7&compId=30KP_ser.PDF?ci_sign=71f855d6d369a557fa6cc9cb4fe3df7916e8ba61 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 64.8V; 327.9A; bidirectional; R6; 30kW; bulk
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.8V
Max. forward impulse current: 327.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
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