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Technische Details 30KPA160CA Good-Ark
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 187.6V; 120A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 160V, Breakdown voltage: 187.6V, Max. forward impulse current: 120A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Peak pulse power dissipation: 30kW, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote 30KPA160CA nach Preis ab 6.92 EUR bis 66.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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30KPA160CA | Hersteller : Good-Ark |
 Diode TVS Single Bi-Dir 160V 30KW 2-Pin Case P-600 |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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30KPA160CA | Hersteller : MDE Semiconductor Inc |
Description: TVS DIODE BP 160VRWM 252.6VC |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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30KPA160CA | Hersteller : Littelfuse |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi Power Diode 30KPA Axial |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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30KPA160CA | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 160VWM 252.6VC P600 |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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30KPA160CA | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 187.6V; 120A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 160V Breakdown voltage: 187.6V Max. forward impulse current: 120A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 30kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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30KPA160CA | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 160VWM 252.6VC P600 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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30KPA160CA | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 187.6V; 120A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 160V Breakdown voltage: 187.6V Max. forward impulse current: 120A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 30kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
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