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31DF6 R0G

31DF6 R0G Taiwan Semiconductor

31df4_c10.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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Technische Details 31DF6 R0G Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassspannung Vf max.: 1.7, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 35, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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31DF6 R0G 31DF6 R0G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182623.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 35
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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31DF6 R0G 31DF6 R0G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 31DF4%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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31DF6 R0G 31DF6 R0G Hersteller : Taiwan Semiconductor 31DF4%20SERIES_G2105.pdf Rectifiers 35ns, 3A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
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