31DF6 R0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details 31DF6 R0G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassspannung Vf max.: 1.7, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 35, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote 31DF6 R0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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31DF6 R0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 ABauform - Diode: DO-201AD Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 35 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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31DF6 R0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
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31DF6 R0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 3A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
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