Technische Details 3401 Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -4.2A, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Power dissipation: 1.2W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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3401 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.2A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 8.5nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench Power dissipation: 1.2W |
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| 3401 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23 |
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| 3401 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23 |
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| 3401 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23 |
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| 3401 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23 |
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| 3401 |
SOP8 |
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| 3401 |
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Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.2W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.2W
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| 3401 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
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| 3000+ | 0.06 EUR |
| 3401 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
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| 3401 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
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| 3000+ | 0.061 EUR |
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| 3401 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
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| 3000+ | 0.073 EUR |
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| 30000+ | 0.061 EUR |